一.导言

在本次评测中，笔者收集了三星SSV3/SSV4/SSV5 NAND Flash三款代表作品的数据，通过实际对比反映了三星近年来迭代产品的性(挤)能(牙)变(糊)。

因为资料收集太旧，测试项目和流程也是较早的版本，所以没有增加一些新的测试项目。同时，970 EVO Plus在去年进行了一次材质更新迭代，没有参与这次的交叉评测。

二。测试平台

硬件:英特尔酷睿I7 5820K

主板:G******e GA-X99-UD4

系统:LTS Ubuntu 18.04

散热器:thermall TR-m . 2 2280

M.2卡:金共享NVME M.2 NGFF PCIE X4 SSD卡

IO接口:PCIe_2插槽

三。硬件规格介绍

(1) 960 EVO

三星于2016年9月21日发布面向消费市场的960系列NVMe SSD，其中960 EVO由北极星控制；Dram用的是三星自己的LPDDR 3；颗粒是三星48L SSV3 V-NAND TLC 3D堆栈式闪存。这也是三星首次为消费市场推出NVMe旗舰TLC (3位MLC)固态硬盘。同时从PCB图可以看出，三星并没有在主控上镀镍来辅助主控散热。

(2) 970 EVO

970 EVO作为替代960 EVO的产品，于2018年4月24日发布。硬件规格方面，970 EVO由凤凰掌控；DRAM采用三星自己的LPDDR4，与上一代960 EVO的LPDDR3相比，新一代LPDDR4的封装规格大幅降低；颗粒方面，采用了新一代三星64LSV4V-NAND TLC 3D堆栈式闪存。同时，在凤凰主控上，三星也首次尝试在主控表面使用镀镍，辅助散热。

(3) 970 EVO Plus(旧版本)

970 EVO发布不到半年，三星再次迎来了产品线的更新。这次的新品是970 EVO Plus，发布于2019年1月22日。硬件规格方面，970 EVO Plus和970 EVO只更新了颗粒，从970 EVO Plus的64LSV4V-NAND TLC 3D堆栈式闪存到970 EVO Plus的92LSV5V-NAND TLC 3D堆栈式闪存。

四。基本性能测试

(1)整体阅读和写作

(2)4kb全磁盘跨度随机读取(QD32T4)

(3)4kb全磁盘跨度随机写入(QD32T4)

读数显示三个磁盘都达到近3200MB/s的水平；在书写方面，970 EVO Plus有很大的提升，之前的产品有一点点提升。

随机阅读方面，960 EVO到970 EVO有一定的提升；但是970 EVO到970 EVO Plus可以说是微乎其微，粒子升级带来的随机读取提升也是有限的。从960 EVO到970 EVO，再到970 EVO Plus，随机读取的平均延迟进一步降低。

随机写方面，960 EVO到970 EVO提升有限；而970 EVO到970 EVO Plus有了明显的改善，QoS的延迟进一步降低。而且经过粒子和主控的迭代，第三代产品随机写入的平均延迟和最大延迟进一步降低。

动词 （verb的缩写）服务器负载模型测试

根据SNIA公布的《固态存储性能测试规范》，固态一般分为以下三个阶段:FOB(全新开箱状态)、过渡和稳态。

为了让硬盘在这个测试阶段尽快进入稳定状态，首先将硬盘完全擦除，然后用128KiB块的大小对硬盘进行两次写入，才能进入稳定状态。然后，分别在硬盘上进行虚拟化服务器、流媒体服务器、HPC服务器和文件服务器的服务器负载模型测试。

(1)虚拟化服务器工作负载

(2)流式服务器工作负载

(3) HPC服务器工作负载

(4)文件服务器工作负载

在不同的服务器工作负载下，三个迭代产品的性能不同于简单的读写。

在顺序读写相关的服务器工作负载中，其分散程度较高，平均延迟相对较高。产品迭代时，性能略有提升，延迟略有下降，但970 EVO/970 EVO Plus的性能相对收敛，明显优于960Evo。

在随机读写相关的服务器工作负载中，QD4TC4的80%读取测试中，其性能尤其是写入性能一般，但延迟性能良好；在QD128t4的70%读取测试中，性能比QD4高2倍左右，说明三星消费级产品也对深度队列进行了优化，但相应的，延迟也明显高于QD4。

不及物动词结论。

1.在不同的负载模型下，三款迭代产品的性能差距不同:在服务器负载下，970 EVO/970 EVO Plus收敛，明显高于960 EVO，而在一般全跨度读写负载下，970 EVO Plus明显优于960 EVO和970 EVO；

2.三星三代产品在各种负载下都呈现出接近的曲线，性能没有明显的悬崖式提升，没有数量级下降的延迟被视为一管牙膏的慢挤。当然这样的性能也属于PCIe3.0中天花板的存在。