一.导言

在WD SN550/570之后，它在无砟领域开始了一路狂奔的征程。2021年，四款新品相继发布，从以高端产品取代SN750的SN850，到迭代升级SN550的SN570，以及代表低端的SN350。半年前，基于PCIE4.0的无dram固态SN750 SE发布。听起来像是略有削弱的SN750，但实际上是这样的。用评测的数据结果说话吧！

第二，开箱和外观

包装:

板体:

主人:

粒子:

包装风格延续了WD黑盘系列的家族式风格，黑色基调，简洁的透明固定外壳。WD还附带一个没用的手册。

主控是群联的E19T，是大家的老朋友，群联的无脑主控也是大家的老朋友，就不多说了。我们手里的主控码显示疑似21年第6周生产。从外包装可以知道它的最高速度是3600MB/s，和SN570差别不大，但是SN 750 SE支持PCIe4.0，同时E19T改变了之前E13T主控的外观，主控表面镀了一层镍。

粒子是来自Sandisk的单个1TB粒子，通过Flash ID可以查到该粒子是Sandisk BICS4层粒子，管芯大小为512Gb，共16个管芯。

三。基本信息

作为一个规则，当你到达计算机时首先看CDI。

CDI捕获的智能信息是有限的，所以使用smartmontools进一步捕获主设备的智能信息。如下所示:

根据smartmontools抓取的支持的功耗状态，WD SN750 SE 1T控制的PS0最大功耗为5.6W，略高于主流的Dramless。

根据smartmontools捕获的信息，有两个温度传感器。如无意外，温度传感器1对应主温度，温度传感器2对应颗粒温度。同时，通过比较smartmontools捕捉到的温度和CDI的温度，可以发现CDI温度对应的是温度传感器2的温度，也就是颗粒的温度。

我用西部数据自己的仪表盘软件查手的时候，发现有新的固件推送。所以我把手头的WD SN750 SE 1T升级了，固件版本号从711130WD升级到7112500WD。后续测试结果基于712500WD固件。

由于WD SN750 SE的主控是群联的E19T，笔者使用Flash ID软件读取识别WD SN750 SE颗粒，可以得知颗粒是闪迪的96层BICS4 TLC颗粒。从Flash ID可以发现，只有4CE连接到主控，但是每个CE都是四个管芯连在一起的，疑似是管芯间的Raid设计。这个后面会进一步分析。

CDI在测试过程中的截图:

测试结束时的CDI截图:

测试结束，一共写了27.6T左右的数据，健康下降了3%。参数收紧假设生命值下降4%。粗略估算了一下，健康归零的时候，估计要写690TBW左右，这已经超过了西部数据给出的600TB保修上限。

四。测试平台和设置

硬件:AMD锐龙3700X @ 4.4GHz

主板:Micro Star X570 Gaming Plus(BIOS威瑞森:7C37vAE)

系统:Windows 10专业版20H2 / Centos 8.4.2105

散热器:thermall TR-m . 2 2280

IO接口:M2 1插槽(来自AMD处理器)

没有散热器:磁盘本身；带散热器:在原有基础上增加thermall TR-m . 2 2280散热器。

因为测试使用AMD平台，相关测试数据可能偏低。

动词 （verb的缩写）基本性能测试

①不带散热器

②带散热器

在Windows下，对裸盘和带散热器的WD SN750 SE 1T进行了CDM/ASS/HD Tune/PCM8测试。由于Windows下几个运行项目的负载较低，四个项目的测试结果相差无几。但由于SN750 SE固件策略奇怪的GC机制，连续写入曲线出现约70GB凹后恢复正常；并且这种现象在有无散热片的测试中重复出现。

不及物动词高级性能验证

为了进一步测试磁盘的实际性能，使用FIO在Centos环境下对硬盘进行连续全面的性能(大型)性能(保证)测试(健康)测试。

(1)整体阅读和写作

首先，它必须是一个综合性的阅读和写作项目。

①不带散热器

②带散热器

在整盘读写测试中，裸盘和散热片没有太大区别，读写都没有明显变慢。空SLC缓存的大小约为60GiB。当它离开SLC缓存时，速度首先下降到大约100-220兆字节/秒，然后上升到大约900兆字节/秒并保持稳定。虽然加了散热片后的写入速度比裸盘稍高，但可以认为是可以忽略的误差。

(2)4kb全跨度随机读写(QD1T1)

①不带散热器

②带散热器

(3)4kb全跨度随机读写(QD32T4)

①不带散热器

②带散热器

作为替代SN750的硬盘，而且它使用的是无内存的主控E19T，SN750 SE的4kb全跨度随机读写的性能并不好:随机读取一定程度上收敛较好，随机写入分散性相对较差，但其QoS(99%/99.9%/99.99%)延迟较好。并且加入散热片后，最大延迟比裸盘略低。我认为这种数据差异可以视为可以忽略不计的误差。同时，加入散热片后Q1T1条件下的整盘跨度随机读取可以更早进入稳态。

(4)4kb全跨度随机7次读取和3次写入(QD32T4)

①不带散热器

②带散热器

整个4kb跨度内的随机7读3写还没有有效收敛，随机读和随机写都是分散的。写的QoS延迟(99%/99.9%/99.99%)高于读的QoS延迟(99%/99.9%/99.99%)，符合一般规律。

(5) SLC缓存写测试

在这个阶段，分别预填充20%/40%/60%/80%的硬盘，静置15min，让主控制器进行GC(垃圾收集)操作，然后依次写入剩余的空，测试其慢进慢出顺序写入。

①预填充20%

②预填充40%

③预填充60%

④预填充80%

从测试结果来看，裸盘和散热器的写入情况趋于一致。但是，在写入剩余空的过程中，SN750 SE在空磁盘下的SLC缓存大小约为60GiB，预填充20%/40%/60%时，预填充80%时，SLC缓存减少到约23GiB。并且每次写入超过SLC缓存时，主控后台会进入全速垃圾收集操作(GC)，使其写入速度在100-220MiB/s之间波动，垃圾收集后恢复正常的BICS4 TLC粒子直写速度。

(6)稳态顺序读写

根据SNIA公布的《固态存储性能测试规范》，固态一般分为以下三个阶段:FOB、过渡和稳态。

所以在这个阶段，西部数据SN750 SE 1TB是顺序写入一整盘，然后进行1800s顺序写入和1800s顺序读取测试项目。

结果如下:

①不带散热器

②带散热器

在长期的稳态顺序读写中，裸盘和加散热片的结果趋于一致，没有明显的波动和减速。Write_BW记录的是1800s的平均写入速度，SN750 SE一直保持稳定状态。

七。结论。

1.SN750 SE没有保持SN750的高水准性能，同时高负载下主控温度更高，这也是E19T在主控表面镀镍辅助散热的原因。但由于其PCIe4.0的规格以及相对于主流PCIe4.0硬盘更低的价格，SN750 SE特别适合PS5等设备的扩展。

2.这款产品的SLC缓存策略比较稳定，固件调整也比较均衡。除了刚出SLC缓存时奇怪的凹写曲线外，没有明显缺陷(主要是GC策略)，直写速度接近1000MB/s，除了稳定随机读写外，与主流PCIE3.0旗舰产品一致。但是，作为PCIE4的产品。0，其综合性能确实是PCIE4.0硬盘中的一个耻辱。

3.作为无Dram磁盘，SN570的IOPS和最大延迟性能在重负载的应用场景下并不亮眼，SN50SE与带Dram的磁盘有一定差距，SN750 SE的混合读写QoS(服务质量)读写延迟性能在整个磁盘跨度内较差。

4.SN750 SE并没有使用最新的BICS5层粒子，但是连接16Die相当于连接16CE的实际直写速度仍然达到了900-1000 MB/s左右，推测同样的粒子相当于连接32CE的直写速度达到了2000MB/s，与之前BICS4产品的性能并不相符，推测可能是特殊结构的粒子。