一.导言

自从上次测了西数的SN570，觉得西数的无轨盘性能也就仅此而已，于是找了消费级固态的标杆三星，测试其新推出的无轨盘980的实际性能。话不多说，开测！

第二，开箱和外观

板体:

主控表面镀镍，背面的贴纸也有铜箔辅助散热。同时粒子和主控两端分离，避免热量过度集中。

由于是自费购买的硬盘，后面会挂小黄鱼出售，所以贴纸不会揭开。三星贴纸四角有“T”字，撕掉后无法完美恢复。

三。基本信息

作为一个规则，当你到达计算机时首先看CDI。

CDI捕获的智能信息是有限的，所以使用smartmontools进一步捕获主设备的智能信息。如下所示:

根据smartmontools捕获的信息，有两个实际的温度传感器。毫不奇怪，温度传感器1对应于颗粒的温度，温度传感器2对应于主控制器的温度。

根据smartmontools抓取的支持的功耗状态，三星980 1T主控的PS0最大功耗为5.24W，而部分NVMe盘的最大功耗高达8W，所以实际功耗较低，这将在测试中进一步展现发热和功耗的表现。

根据smartmontools捕获的相关温度传感器和比较，CDI显示的温度对应于温度传感器1。

由于1B4QFXO7的固件已经有了，三星提供的神奇软件显示可以更新新固件，所以更新了硬盘的固件，后续所有测试都是以新固件2B4QFO7的测试结果为准。

CDI在测试过程中的截图:

测试结束时的CDI截图:

测试结束，一共写了28.7T左右的数据，生命值下降了3%。在测试的过程中，笔者观察到写17.7T左右的健康会下降2%。如果收紧参数，假设健康状况会下降4%。所以在健康回到0的时候，写入量大概是720TB，超过了保修规定的600TBW。

四。测试平台和设置

硬件:AMD锐龙3700X @ 4.4GHz

主板:Micro Star X570 Gaming Plus(BIOS威瑞森:7C37vAE)

系统:Windows 10专业版20H2 / Centos 8.4.2105

散热器:thermall TR-m . 2 2280

IO接口:M2 1插槽(来自AMD处理器)

没有散热器:磁盘本身；带散热器:在原有基础上增加thermall TR-m . 2 2280散热器。

因为测试使用AMD平台，相关测试数据可能偏低。

动词 （verb的缩写）基本性能测试

①不带散热器

②带散热器

在Windows下，分别对裸盘和装有散热器的980 1T进行了CDM/ASS/HD Tune/PCM8测试。由于Windows下运行的几个项目负载较低，所以四个项目的测试结果都差不多。根据HD Tune测试结果，980的SLC缓存达到165GB，缓冲速度约为500 MB/s，此时的缓冲速度属于主控制器写粒子，而垃圾收集(GC)在后台进行。

不及物动词高级性能验证

为了进一步测试磁盘的实际性能，使用FIO在Centos环境下对硬盘进行连续全面的性能(大型)性能(保证)测试(健康测试)，也是对硬盘极限性能的一次校准。

(1)整体阅读和写作

首先，它必须是一个综合性的阅读和写作项目。

①不带散热器

②带散热器

在整盘读写测试中，裸盘和散热片没有太大区别。两个散热条件都没有进入TLC颗粒的直写速度。这种现象是由主控制器在后台进行垃圾收集(GC)造成的。粒子真正的直写速度后面会进一步说明。同时整张盘的写入速度和读取速度都是逐步上台阶的，有点神奇。

(2)4kb全跨度随机读写(QD1T1)

①不带散热器

②带散热器

(3)4kb全跨度随机读写(QD32T4)

①不带散热器

②带散热器

作为无dram磁盘，4kb的全跨度随机读写性能并不突出，但随机读写做到了一定程度的收敛，QoS的延迟(99%/99.9%/99.99%)在无dram磁盘中是可以接受的。并且加入散热片后，最大延迟比裸盘略低。

(4)4kb的总体跨度是随机的，7次读取和3次写入(QD32T4)

①不带散热器

②带散热器

4kb跨度内的随机7读3写在一定范围内上下波动，随机读和随机写都能有一定程度的收敛。裸盘和加散热片对4kb磁盘跨度的随机7读3写影响不大，但加散热片后最大延迟有一定程度的降低。

(5) SLC缓存写测试

在这个阶段，分别预填充20%/40%/60%/80%的硬盘，静置15min，让主控制器进行GC(垃圾收集)操作，然后依次写入剩余的空，测试其慢进慢出顺序写入。

①预填充20%

②预填充40%

③预填充60%

④预填充80%

从测试结果来看，裸盘和散热器的写入情况趋于一致。在20%预填充的情况下，SLC缓存的大小为80GiB；在40%预填充的情况下，SLC缓存的大小约为49GiB当预填充超过60%时，SLC缓存不会被有效释放。而且慢出速度是主控在写粒子的同时控制垃圾收集(GC)的速度，并没有进入真正的TLC粒子直写速度。

(6)稳态顺序读写

根据SNIA公布的《固态存储性能测试规范》，固态一般分为以下三个阶段:FOB、过渡和稳态。

所以这个阶段三星980 1TB按顺序写一次，然后进行1800s的顺序写和1800s的顺序读测试项目。

结果如下:

①不带散热器

②带散热器

在长时间的稳态顺序读写中，裸盘和加散热片的结果趋于一致，没有明显的减速，说明980的发热和功耗是可以接受的。同时可以得知三星980的TLC颗粒在长期稳态写入时的直写速度为959MiB/s(1006MB/s)。

七。结论。

1.作为三星发布的首款无dram的M.2固态硬盘，980的峰值性能和重负载下的性能都处于中等水平，尤其是重负载下的延迟性能较差；

2.这款硬盘的PS0功耗达到5W，在无dram硬盘中不算低，但得益于三星出色的主控和颗粒级，其实际功耗和发热性能都不错。同时，由于其高功耗壁，硬盘在重负载下不容易过热减速；

3.980的零售价和二手成交价相差很大。作为替代970 EVO/970 EVO Plus的硬盘，其实际性价比较低。