在最近的三星科技日发布会上，三星谈到了UHF DDR6内存、GDDR6+、GDDR7、HB3内存的开发。毋庸置疑，三星的一举一动都会影响到整个内存和显存的发展趋势，那就赶紧来看看吧。

虽然目前市场上已经出现了像6400MHz这样的高频的DR5内存，但这仅仅是一个开始。他们表示，三星目前已经做出了8400MHz的DDR5颗粒和内存，具体上市时间还不清楚。估计明年应该就能看到了。

除了DDR5，三星还谈到了下一代DDR6内存标准。据说频率是DDR5的两倍。根据JEDEC联盟制定的DDR5起始频率，预计新DDR6标准最低可达9600MHz。不过三星表示自家DDR6的默认频率可以达到12800MHz，超频后甚至可以达到17000MHz。另外，据说内存通道的数量比DDR5增加了三倍，达到了四个通道，所以DDR6内存会大大提升平台性能。

此外，三星还提到了用于超薄本、平板电脑等的低功耗LPDDR6内存。虽然三星的LPDDR R5最早也要明年才能见到，但是LPDDR6已经处于开发初期，最高可以达到17000 MHz/s。

除了内存，三星还谈到了接下来的GDDR6+，GDRR7，HBM3内存。三星表示，GDDR6+采用1z nm工艺，等效频率将从现有GDRR6的18000 MHz/s提升至24000 MHz/s，未来GDRR6+将被GDDR7标准取代，等效频率将达到32000MHz/s..值得一提的是，在GDDR7中，会加入一个名为“实时错误保护功能”的新功能，具体细节还不清楚。据推测，它应该类似于服务器专用内存的ECC，这还有待证实。

最后，三星还调整了废弃的HBM3内存。他们表示，三星将在2022年第二季度量产新款HBM3，总带宽为800 GB/s，但不是针对普通消费者平台，而是针对人工智能应用等平台。三星正在与合作伙伴一起测试，应该会在明年第三季度的Q2发布。

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